​测试原理 Test Principle |
通过软件程序控制,让 X 射线发生路产生适合的 X 射线去激发测试薄膜材料中的 Si 或者其他元素,被 X 射线激发后变为不稳定态,高能层的电子会跃迁到空穴并同时释放特定能量被探测器接收,因每个元素都有自已特定的能量特征线,通过探测器的识别,计算机软件的计算,即可准确识别该元素,并计算出含量。 仪器采用了大面积的晶体硅漂移探测器,分辨率能够达到 125eV, 能分辨 Al( 铝 ) 元素和 Si( 硅 ) 元素。
应用领域 Application field |
1,各种薄膜 、淋膜 、离型膜等硅油涂布量的测定
2,各种薄膜生产过程中Si/Al元素等比量的测定
3,电子产品保护膜 硅油残余量的测定
4,电子产品硫化物的残留量的测定
产品优势 Product advantages |
1,多点检测结果精准
2,自建曲线功能开放
3,中文界面国内研发
4,一键操作自动完成
5,算法先进快速准确
6,多种格式快速打印
技术特点 Product advantages |
1,测试采用X 射线荧光光谱原理,测试过程无需耗材
2,光管垂直照射,硅元素性能得到更强激发
3,测试下限好,可准确测量 0.01g/m2 的涂硅量
4,采用大面积硅漂移探测器,测试结果极其准确
5,快速采用新的模型算法,大大提高了轻元素的测量稳定性
6,配置高清液晶显示器,测试过程和测试结果一目了然
7,设备集成多个 usb 接口 , 数据和通讯传输满足多种要求
8, 空气光路内部环境得到显著优化,大气环境一样可以直接测试
9,一键测试 / 操作简单智能,测试过程使用时间更短,结果更准确
技术参数 Technical parameters |
分析范围 | 1ppm" 100% |
精度 | RSD 0.05% Au≥90% |
光管管流 | 0 - 10 |
探测器 | 美国进口 Amptek探测器 SDD |
高压电源 | 0 - 50KV |
光管电压 | 5 - 50KV |
分辨率 | 129 士 5ev |
测试时间 | 30 - 1 00s |